Infineon: magas hatásfokú és megbízható, 3. generációs IGBT

A teljesítményelektronika egyik közkedvelt kapcsolóeleme az IGBT, a DC-áram nélkül vezérelhető, de a kimenetén a bipoláris tranzisztorok kiváló kapcsolótulajdonságaival rendelkező félvezető alkatrész. Ennek új generációja az integrált „szabadonfutó” diódát is tartalmazó változat, a fordított polaritású kimeneti áramra kis ellenállást mutató RC-IGBT (Reverse Conducting IGBT), amely különösen alkalmas az induktív terhelések sajátos meghajtási problémáinak megoldására. Az Infineon IGBT-portfólióját most új típusokkal bővítette, amelyek 30 vagy 40 A terhelőáramot kapcsolhatnak 1200 és 1350 V-os maximális zárófeszültségnél. A cég „ütőképes” választékot kínál olyan IGBT-kből, amelyek különösen alkalmasak az indukciós hevítési technológiák megvalósítására.

A kínálat most az új, alacsony kapcsolási és rezisztív veszteségű típusokkal, kategóriájukban a legjobb hatásfokú eszközökkel bővül. A cég 2. generációs RC-IGBT-ihez képest 20%-kal kisebb kapcsolási veszteséget okozó eszközöknél a tesztek során 5 °C-szal alacsonyabb tokhőmérsékletet mértek. Az alacsonyabb hőterhelés pedig a hosszabb élettartam és a nagyobb megbízhatóság kulcsa. Az új generációs eszközök fontos tulajdonsága még a „lágy” átkapcsolási viselkedés, amely a kisebb harmonikustartalom miatt kedvezőbb EMI-tulajdonságokat eredményez. Ez különösen fontos a hasonló kategóriájú IGBT-k fő alkalmazási területein, az indukciós főzőkészülékek és szolárpanelek elektronikájában használatos rezonáns kapcsolóüzemű alkalmazásoknál. A portfólió bővítésével lehetővé válik a 3,6 kW-os kimenőteljesítmény elérése költséges, ellenütemű teljesítménykapcsoló-fokozatok nélkül is.

www.infineon.com