STMicroelectronics: újszerű memória- és félvezetőtechnológia

A beágyazott elektronikai alkalmazások egyik „érzékeny” területe a memória. Ezen múlik az eszközben tárolható program és adat mennyisége, de a hozzáférési idő a számítási teljesítménybe, az írási ciklusszám pedig az élettartamba is alaposan beleszól. Érthető, ha a gyártók e területen is új megoldásokat keresnek. Ennek tulajdonítható, hogy az STMicroelectronics (STM) a Memoir Systems céggel együttműködve forradalmian újnak mondott  „algoritmikus” memóriatechnológiát valósít meg az alkalmazásspecifikus áramkörökben (ASIC) és a rendszercsipekben (SoC). A módszert a Memoir Sytems, a realizálására szolgáló Fully Depleted Silicon on Insulator (FD-SOI)-technológiát az STM dolgozta ki.

Az algoritmikus memóriatechnika mibenlétéről a sajtó­bejelentés nem sokat árul el, előnyeként elsősorban a nem reprodukálható programhibákat okozó „puha” memóriahibák (Soft Error Rate – SER) arányának csökkenését említik: az egymillió üzemórára számított szofthiba-gyakoriság 50…100-szor ritkább a ma tömegesen alkalmazott flashmemóriákénál. Az STM-fejlesztésű FD-SOI-technika pedig 30%-kal gyorsabb hozzáférési időt és a szivárgóáram jelentékeny csökkentése révén ugyanilyen arányú energiamegtakarítást garantál. Ennek elsősorban a minőségkritikus alkalmazásokban: a hálózati infrastruktúrában, a szállításban, az orvosi elektronikában és az űrtechológiában vehetik majd hasznát. Az STM szakemberei azt is kiemelik, hogy az FD-SOI-technológiával milyen egyszerűen lehetett egy olyan kiemelkedő szellemi terméket megvalósítani, mint a Memoir Systems algoritmikus memóriarendszere, amelyet éppen a gyorsabb és kisebb hőtermelésű működés tesz reálisan használható megoldássá.

www.st.com